GaN 和 SiC测试的理想探头

DL-ISO 探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围，非常适合 GaN 和 SiC 器件表征。

最高测量精度

DL-ISO 探头与业内**的 12 位高精度示波器 (HDO) 相结合，可获得 1.5% 的系统精度，几乎是市场上替代解决方案的两倍。

**的信号完整性

在 测 量 过 程 中 ，很 难 获 得 真 实 的 信号，DL-ISO通过提供业界**的信号保真度、最快的上升时间、**的过冲和低 DUT 负载来克服这一挑战。

丰富的连接方式

DL-ISO 探头通过采用高质量同轴衰减前端来提高测量信心，该前端可抑制不需要的噪声，并使用行业标准 MMCX 连接器或高压安全方形排针端接至测试板。

最高测量精度

• 最高的系统精度-1.5%

• 160 dB的高共模抑制比可以有效抑制噪声

• 12 位高精度示波器上的精确增益校准可提供**结果

**的信号保真度

• 再现真实信号

• 探头负载小，过冲最小

• 很快的上升时间（435ps）–非常适合捕获高dV/dt 的GaN 和 SiC 波形

丰富的连接方式

• 使用行业标准 MMCX 连接器轻松与测试板连接

• 使用兼容的方形排针安全测试1000V 和 2500 V

• 使用高质量同轴引线提高 EMI/RF 抗扰度并减少杂散噪声拾取

主要特性：

• 1GHz带宽

• GaN 和 SiC测试的理想选择

• 1.5%的系统精度

• 上升时间：435 ps

• 高共模抑制比-160 dB

• 灵活的连接方式

• 无需断开连接也可自动归零

主要应用：

• 服务器

•主板

• 照明和楼宇自动化

• 住宅逆变器

• UPS

• 开关电源

• 家用和商用电器中的电机